Зображення для довідки, будь ласка, зв'яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

SI4100DY-T1-E3

Номер деталі виробника:	SI4100DY-T1-E3
Виробник:	Vishay / Siliconix
Частина опису:	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Таблиці даних:	SI4100DY-T1-E3 Таблиці даних
Статус без свинцю / статус RoHS:	Без свинцю/відповідність RoHS
Стан запасу:	В наявності
Доставка з:	Hong Kong
Спосіб відправлення:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ПРИМІТКА: Vishay / Siliconix SI4100DY-T1-E3 доступний на сайті chipnets.com. Ми продаємо лише нові та оригінальні запчастини та пропонуємо 1 рік гарантії. Якщо ви хочете дізнатися більше про продукти або застосувати кращу ціну, зв’яжіться з нами, натисніть онлайн-чат або надішліть нам пропозицію.

Всі компоненти Eelctronics будуть дуже безпечно упаковані завдяки антистатічному захисту від електростатичного розряду.

package

Специфікація

Тип	Опис
Серія	TrenchFET®
Пакет	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статус частини	Active
Тип FET	N-Channel
Технологія	MOSFET (Metal Oxide)
Слив до джерела напруги (Vdss)	100 V
Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C	6.8A (Tc)
Напруга приводу (Макс. Коефіцієнт корисної дії, мінімальний коефіцієнт корисної дії)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Заряд ворота (Qg) (макс.) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)	±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds	600 pF @ 50 V
Функція FET	-
Розсіювання потужності (макс.)	2.5W (Ta), 6W (Tc)
Робоча температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення	Surface Mount
Пакет пристроїв постачальника	8-SO
Пакет / футляр	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ВАРИАНТИ КУПІВКИ

Статус запасу: 10617

Мінімум: 1

Кількість	Ціна за одиницю	Дон. Ціна
Ціна недоступна, будь ласка, задайте запит

Розрахунок вантажу

40 доларів США від FedEx.

Приходить через 3-5 днів

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безкоштовна доставка перших 0,5 кг для замовлень на суму понад 150 доларів США, зайва вага оплачується окремо

Популярні моделі

Цей товар додано до вашого кошика.