Rectron USA / RM4N650TI
Зображення для довідки, будь ласка, зв'яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення
RM4N650TI
| Номер деталі виробника: | RM4N650TI |
| Виробник: | Rectron USA |
| Частина опису: | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220F |
| Статус без свинцю / статус RoHS: | Без свинцю/відповідність RoHS |
| Стан запасу: | В наявності |
| Доставка з: | Hong Kong |
| Спосіб відправлення: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ПРИМІТКА
- Rectron USA RM4N650TI доступний на сайті chipnets.com. Ми продаємо лише нові та оригінальні запчастини та пропонуємо 1 рік гарантії. Якщо ви хочете дізнатися більше про продукти або застосувати кращу ціну, зв’яжіться з нами, натисніть онлайн-чат або надішліть нам пропозицію.
Всі компоненти Eelctronics будуть дуже безпечно упаковані завдяки антистатічному захисту від електростатичного розряду.
Специфікація
| Тип | Опис |
|---|---|
| Серія | - |
| Пакет | Tube |
| Статус частини | Active |
| Тип FET | N-Channel |
| Технологія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив до джерела напруги (Vdss) | 650 V |
| Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C | 4A (Tc) |
| Напруга приводу (Макс. Коефіцієнт корисної дії, мінімальний коефіцієнт корисної дії) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Заряд ворота (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds | 280 pF @ 50 V |
| Функція FET | - |
| Розсіювання потужності (макс.) | 28.5W (Tc) |
| Робоча температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип кріплення | Through Hole |
| Пакет пристроїв постачальника | TO-220F |
| Пакет / футляр | TO-220-3 Full Pack |
Статус запасу: Доставка в той же день
Мінімум: 1
| Кількість | Ціна за одиницю | Дон. Ціна |
|---|---|---|
Ціна недоступна, будь ласка, задайте запит |
||
Розрахунок вантажу
40 доларів США від FedEx.
Приходить через 3-5 днів
Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безкоштовна доставка перших 0,5 кг для замовлень на суму понад 150 доларів США, зайва вага оплачується окремо
Додано в кошик!
Цей товар додано до вашого кошика.