Зображення для довідки, будь ласка, зв'яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

RQ3E100MNTB1

Номер деталі виробника:	RQ3E100MNTB1
Виробник:	ROHM Semiconductor
Частина опису:	MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Таблиці даних:	RQ3E100MNTB1 Таблиці даних
Статус без свинцю / статус RoHS:	Без свинцю/відповідність RoHS
Стан запасу:	В наявності
Доставка з:	Hong Kong
Спосіб відправлення:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ПРИМІТКА: ROHM Semiconductor RQ3E100MNTB1 доступний на сайті chipnets.com. Ми продаємо лише нові та оригінальні запчастини та пропонуємо 1 рік гарантії. Якщо ви хочете дізнатися більше про продукти або застосувати кращу ціну, зв’яжіться з нами, натисніть онлайн-чат або надішліть нам пропозицію.

Всі компоненти Eelctronics будуть дуже безпечно упаковані завдяки антистатічному захисту від електростатичного розряду.

package

Специфікація

Тип	Опис
Серія	*
Пакет	Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Статус частини	Active
Тип FET	N-Channel
Технологія	MOSFET (Metal Oxide)
Слив до джерела напруги (Vdss)	30 V
Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C	10A (Ta)
Напруга приводу (Макс. Коефіцієнт корисної дії, мінімальний коефіцієнт корисної дії)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Заряд ворота (Qg) (макс.) @ Vgs	9.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)	±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds	520 pF @ 15 V
Функція FET	-
Розсіювання потужності (макс.)	2W (Ta)
Робоча температура	150°C (TJ)
Тип кріплення	Surface Mount
Пакет пристроїв постачальника	8-HSMT (3.2x3)
Пакет / футляр	8-PowerVDFN

ВАРИАНТИ КУПІВКИ

Статус запасу: 5286

Мінімум: 1

Кількість	Ціна за одиницю	Дон. Ціна
Ціна недоступна, будь ласка, задайте запит

Розрахунок вантажу

40 доларів США від FedEx.

Приходить через 3-5 днів

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безкоштовна доставка перших 0,5 кг для замовлень на суму понад 150 доларів США, зайва вага оплачується окремо

Популярні моделі

Цей товар додано до вашого кошика.