Зображення для довідки, будь ласка, зв'яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

SI4712DY-T1-GE3

Номер деталі виробника:	SI4712DY-T1-GE3
Виробник:	Vishay / Siliconix
Частина опису:	MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO
Таблиці даних:	SI4712DY-T1-GE3 Таблиці даних
Статус без свинцю / статус RoHS:	Без свинцю/відповідність RoHS
Стан запасу:	В наявності
Доставка з:	Hong Kong
Спосіб відправлення:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ПРИМІТКА: Vishay / Siliconix SI4712DY-T1-GE3 доступний на сайті chipnets.com. Ми продаємо лише нові та оригінальні запчастини та пропонуємо 1 рік гарантії. Якщо ви хочете дізнатися більше про продукти або застосувати кращу ціну, зв’яжіться з нами, натисніть онлайн-чат або надішліть нам пропозицію.

Всі компоненти Eelctronics будуть дуже безпечно упаковані завдяки антистатічному захисту від електростатичного розряду.

package

Специфікація

Тип	Опис
Серія	SkyFET®, TrenchFET®
Пакет	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статус частини	Obsolete
Тип FET	N-Channel
Технологія	MOSFET (Metal Oxide)
Слив до джерела напруги (Vdss)	30 V
Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C	14.6A (Tc)
Напруга приводу (Макс. Коефіцієнт корисної дії, мінімальний коефіцієнт корисної дії)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Заряд ворота (Qg) (макс.) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (макс.)	±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds	1084 pF @ 15 V
Функція FET	-
Розсіювання потужності (макс.)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Робоча температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення	Surface Mount
Пакет пристроїв постачальника	8-SO
Пакет / футляр	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ВАРИАНТИ КУПІВКИ

Статус запасу: Доставка в той же день

Мінімум: 1

Кількість	Ціна за одиницю	Дон. Ціна
Ціна недоступна, будь ласка, задайте запит

Розрахунок вантажу

40 доларів США від FedEx.

Приходить через 3-5 днів

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безкоштовна доставка перших 0,5 кг для замовлень на суму понад 150 доларів США, зайва вага оплачується окремо

Популярні моделі

Цей товар додано до вашого кошика.