Зображення для довідки, будь ласка, зв'яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

DF11MR12W1M1B11BOMA1

Номер деталі виробника:	DF11MR12W1M1B11BOMA1
Виробник:	Rochester Electronics
Частина опису:	IGBT MODULE
Таблиці даних:	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Таблиці даних
Статус без свинцю / статус RoHS:	Без свинцю/відповідність RoHS
Стан запасу:	В наявності
Доставка з:	Hong Kong
Спосіб відправлення:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ПРИМІТКА: Rochester Electronics DF11MR12W1M1B11BOMA1 доступний на сайті chipnets.com. Ми продаємо лише нові та оригінальні запчастини та пропонуємо 1 рік гарантії. Якщо ви хочете дізнатися більше про продукти або застосувати кращу ціну, зв’яжіться з нами, натисніть онлайн-чат або надішліть нам пропозицію.

Всі компоненти Eelctronics будуть дуже безпечно упаковані завдяки антистатічному захисту від електростатичного розряду.

package

Специфікація

Тип	Опис
Серія	*
Пакет	Bulk
Статус частини	Active
Тип FET	2 N-Channel (Dual)
Функція FET	Silicon Carbide (SiC)
Слив до джерела напруги (Vdss)	1200V (1.2kV)
Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C	50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 20mA
Заряд ворота (Qg) (макс.) @ Vgs	125nC @ 5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds	3950pF @ 800V
Потужність - Макс	20mW
Робоча температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення	Chassis Mount
Пакет / футляр	Module
Пакет пристроїв постачальника	Module

ВАРИАНТИ КУПІВКИ

Статус запасу: 83

Мінімум: 1

Кількість	Ціна за одиницю	Дон. Ціна
Ціна недоступна, будь ласка, задайте запит

Розрахунок вантажу

40 доларів США від FedEx.

Приходить через 3-5 днів

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безкоштовна доставка перших 0,5 кг для замовлень на суму понад 150 доларів США, зайва вага оплачується окремо

Популярні моделі

	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Rochester Electronics
	DF11MR12W1M1B11BPSA1 IR (Infineon Technologies)
	DF11MR12W1M1PB11BPSA1 IR (Infineon Technologies)

Цей товар додано до вашого кошика.