Зображення для довідки, будь ласка, зв'яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

FF8MR12W2M1B11BOMA1

Номер деталі виробника:	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Виробник:	IR (Infineon Technologies)
Частина опису:	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Таблиці даних:	FF8MR12W2M1B11BOMA1 Таблиці даних
Статус без свинцю / статус RoHS:	Без свинцю/відповідність RoHS
Стан запасу:	В наявності
Доставка з:	Hong Kong
Спосіб відправлення:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ПРИМІТКА: IR (Infineon Technologies) FF8MR12W2M1B11BOMA1 доступний на сайті chipnets.com. Ми продаємо лише нові та оригінальні запчастини та пропонуємо 1 рік гарантії. Якщо ви хочете дізнатися більше про продукти або застосувати кращу ціну, зв’яжіться з нами, натисніть онлайн-чат або надішліть нам пропозицію.

Всі компоненти Eelctronics будуть дуже безпечно упаковані завдяки антистатічному захисту від електростатичного розряду.

package

Специфікація

Тип	Опис
Серія	CoolSiC™+
Пакет	Tray
Статус частини	Active
Тип FET	2 N-Channel (Dual)
Функція FET	Silicon Carbide (SiC)
Слив до джерела напруги (Vdss)	1200V
Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C	150A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 60mA
Заряд ворота (Qg) (макс.) @ Vgs	372nC @ 15V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds	11000pF @ 800V
Потужність - Макс	20mW (Tc)
Робоча температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення	Chassis Mount
Пакет / футляр	Module
Пакет пристроїв постачальника	AG-EASY2BM-2

ВАРИАНТИ КУПІВКИ

Статус запасу: 45

Мінімум: 1

Кількість	Ціна за одиницю	Дон. Ціна
Ціна недоступна, будь ласка, задайте запит

Розрахунок вантажу

40 доларів США від FedEx.

Приходить через 3-5 днів

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безкоштовна доставка перших 0,5 кг для замовлень на суму понад 150 доларів США, зайва вага оплачується окремо

Популярні моделі

	FF8MR12W2M1B11BOMA1 IR (Infineon Technologies)

Цей товар додано до вашого кошика.