Зображення для довідки, будь ласка, зв'яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

BSM180D12P2C101

Номер деталі виробника:	BSM180D12P2C101
Виробник:	ROHM Semiconductor
Частина опису:	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Таблиці даних:	BSM180D12P2C101 Таблиці даних
Статус без свинцю / статус RoHS:	Без свинцю/відповідність RoHS
Стан запасу:	В наявності
Доставка з:	Hong Kong
Спосіб відправлення:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ПРИМІТКА: ROHM Semiconductor BSM180D12P2C101 доступний на сайті chipnets.com. Ми продаємо лише нові та оригінальні запчастини та пропонуємо 1 рік гарантії. Якщо ви хочете дізнатися більше про продукти або застосувати кращу ціну, зв’яжіться з нами, натисніть онлайн-чат або надішліть нам пропозицію.

Всі компоненти Eelctronics будуть дуже безпечно упаковані завдяки антистатічному захисту від електростатичного розряду.

package

Специфікація

Тип	Опис
Серія	-
Пакет	Bulk
Статус частини	Active
Тип FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Функція FET	Silicon Carbide (SiC)
Слив до джерела напруги (Vdss)	1200V (1.2kV)
Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C	204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Заряд ворота (Qg) (макс.) @ Vgs	-
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds	23000pF @ 10V
Потужність - Макс	1130W
Робоча температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення	-
Пакет / футляр	Module
Пакет пристроїв постачальника	Module

ВАРИАНТИ КУПІВКИ

Статус запасу: 9

Мінімум: 1

Кількість	Ціна за одиницю	Дон. Ціна
Ціна недоступна, будь ласка, задайте запит

Розрахунок вантажу

40 доларів США від FedEx.

Приходить через 3-5 днів

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безкоштовна доставка перших 0,5 кг для замовлень на суму понад 150 доларів США, зайва вага оплачується окремо

Популярні моделі

Цей товар додано до вашого кошика.