Зображення для довідки, будь ласка, зв'яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

BSM300D12P3E005

Номер деталі виробника:	BSM300D12P3E005
Виробник:	ROHM Semiconductor
Частина опису:	SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Таблиці даних:	BSM300D12P3E005 Таблиці даних
Статус без свинцю / статус RoHS:	Без свинцю/відповідність RoHS
Стан запасу:	В наявності
Доставка з:	Hong Kong
Спосіб відправлення:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ПРИМІТКА: ROHM Semiconductor BSM300D12P3E005 доступний на сайті chipnets.com. Ми продаємо лише нові та оригінальні запчастини та пропонуємо 1 рік гарантії. Якщо ви хочете дізнатися більше про продукти або застосувати кращу ціну, зв’яжіться з нами, натисніть онлайн-чат або надішліть нам пропозицію.

Всі компоненти Eelctronics будуть дуже безпечно упаковані завдяки антистатічному захисту від електростатичного розряду.

package

Специфікація

Тип	Опис
Серія	-
Пакет	Bulk
Статус частини	Active
Тип FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Функція FET	Silicon Carbide (SiC)
Слив до джерела напруги (Vdss)	1200V (1.2kV)
Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C	300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	5.6V @ 91mA
Заряд ворота (Qg) (макс.) @ Vgs	-
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds	14000pF @ 10V
Потужність - Макс	1260W (Tc)
Робоча температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення	Chassis Mount
Пакет / футляр	Module
Пакет пристроїв постачальника	Module

ВАРИАНТИ КУПІВКИ

Статус запасу: 9

Мінімум: 1

Кількість	Ціна за одиницю	Дон. Ціна
Ціна недоступна, будь ласка, задайте запит

Розрахунок вантажу

40 доларів США від FedEx.

Приходить через 3-5 днів

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Безкоштовна доставка перших 0,5 кг для замовлень на суму понад 150 доларів США, зайва вага оплачується окремо

Популярні моделі

	BSM300D12P2E001 ROHM Semiconductor
	BSM300D12P3E005 ROHM Semiconductor

Цей товар додано до вашого кошика.